클린룸 증착(Deposition) 장비
원자 적층기(ALD)-HfO2 소스 교체 필요(사용불가) ALD(Atomic Layer Deposition)
| 모델명 | Lucida D100 |
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| 제조사(제조국) | NCD(Kor) |
| 구입연도(제작연도) | 2014-02-18 |
| 용도 | Ultra-thin film deposition with good thickness uniformity and conformal step coverage |
| 사용료 | 30,000원/h |
| 장소 | 22-220 |
| 비고 | 80~150C° 저온공정 불가, 150~250C° 사용 가능 |
성능● Deposition materials: Al2O3, HfO2
● Wafer size: 4“ 이내 (조각 시편 사용 가능) ● Substrate temperature: 25C°–350C° ● Substrate Size : 100~200 mm ● Substrate Temperature: 25℃ ~ 350 ℃ (± 0.2 ℃) @ 1Torr, in wafer ● Precursor Sources : 3 (heated 2 sources and H2O source) ● Deposition Uniformity : <±2% ● Footprint : 950 x 700 mm ● Compatibility :Clean room class 100 ● Control System: PC control base (full auto) ● Optional : Up to 4 heated sources ● Optional : Lucida cooler (2ch) |
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