서울대학교 응용물리연구소

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마스크리스 노광장치 Maskless Photo Lithography System

모델명 DL-1000A1
제조사(제조국) Nano System Solutions, Inc.
구입연도(제작연도) 2021-08-06
용도 photo lithograpy (Light exposure equipment without photo-mask)
사용료 10,000원/h
장소 22-118
비고 변환 프로그램 사용시간 포함하여 예약

성능

 sample Loading 및 Logbook 작성방법 변경:  Maskless Aligner sample chuck 사용 안내 공지 필독(22.6.28)

매 학기 종료 후 데이터 일괄 삭제

  • Resolution: 1μm (Positive PR : t ≦ 1μm)
  • Minimum pixel size: 1 μm
  • # of DMD pixel: 1024×768
  • Exposure area for each shot: Horizontal 1.024 mm, Vertical 0.768 mm
  • Maximum exposure area: 100 × 100 mm (limit of X/Y stage)
  • Light source and Wavelength: LED、405 nm
  • Exposure Power: 1.5 W/cm2
  • Write Speed: 570 mm2/min(@50 mJ/cm2)
  • Positioning Accuracy: ±100nm
  • Patterning method: Step & Repeat, Scanning
  • Autofocus: Real time Image contrast method
  • Autofocus range: ±200 μ

  • Sample substrate

    Thickness: 7mm or less, Maxum Size: 100 x 100mm, 4inch wafer
Thickness 는 0.5mm 이상 만 사용 (0.5mm 이하는 관리자에게 확인 필)
마스크리스 노광장치 사진

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