클린룸 식각(etching) 장비
반응성 이온 식각기 RIE(reactive ion etcher)
| 모델명 | RIE-10NR |
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| 제조사(제조국) | SAMCO (Jap) |
| 구입연도(제작연도) | 2019-04-05 |
| 용도 | 나노공정에 사용되는 장비로, RF 주파수의 전자기장을 걸어서 화학적으로 반응성이 높은 플라즈마를 발생시켜서 시료를 선택적으로 건식 식각(dry etching) 가능 일반적으로 등방 식각이 특징인 습식 식각과 달리 비등방 식각이 가능 식각 바이어스로 인한 한계를 넘어 나노규모의 소자 제작에 적합 시약에 꺼내어 말리는 과정에서 발생하는 손상에서 자유로움 주로 Si 계열의 소재를 식각하는 데에 사용되며, 이외에도 다양한 반도체 소재, 그래핀과 같은 탄소 계열 소재, 유전체 소재, 유기 소재 등의 폭넓은 물질군에 활용이 가능 |
| 사용료 | 20,000/h |
| 장소 | 22-118 |
성능장비 사용시 Tape류 사용금지
장비 사용시 carbon Tape 등 테이프를 사용하는 사례가 적발되고 있습니다. 테이프 사용시 Quartz 판이 오염되므로 테이프 사용을 금지합니다. 샘플이 작아 고정이 필요할 경우 슬라이드 글라스 등에 샘플을 부착해 실험하시기 바랍니다. 계속 같은 문제가 발생할 경우 샘플 사이즈에 제한을 두는 수 밖에 없습니다. 사용시 주의 하시기 바랍니다. 사용 가능 RF Power range : 30W ~ 270W 사용 가스: Ar, CF4, O2, SF6 ▶ Si etching Etch rate ≥ 30nm/min Etch ratio to photoresist of 1:1 or more selective. In-wafer uniformity† ≤ ±5% Reproducibility ≤ ±3% Profile control ≥ 85° ▶ SiO2 etching Etch rate ≥ 25nm/min Etch ratio to photoresist of 3:1 or more selective. Etch ratio to Si of 5:1 or more selective. In-wafer uniformity† ≤ ±4% Reproducibility ≤ ±3% Profile control ≥ 85° ▶ Si3N4 etching Etch rate ≥ 50nm/min Etch ratio to photoresist of 1.5:1 or more selective. Etch ratio to Si of 4:1 or more selective. In-wafer uniformity† ≤ ±5% Reproducibility ≤ ±3% Profile control ≥ 85° |
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