Material Analysis Laboratory 6. Sample Synthesis & Growth
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
| Model | JPEC-2000 |
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| Manufacturer (Country) | 제이하라 |
| Purchase Date | 2014-09-01 |
| Purpose of Use | 화학 기상 증착 방법을 통한 시료 성장 |
Product Description and Specifications
- 메인 챔버 1set, 로드락 챔버 1set - 펌핑 시스템 1set - 가스공급 시스템 1set - 시스템 제어 1set
- 기판 사이즈 : 4inch - 온도 범위 : 700 ~ 1000℃ - 온도 균일도 : ±6% 이하 - 진공도 : 메인 챔버 5E-6 Torr 이하, 로드락 챔버 5E-2Torr 이하
- 메인 챔버 사이즈 : 450(OD)×400(H) - 주요 공정 가스: Ar, H2, CH4 - 공정 온도 : 30 ~ 1000℃, - 공정 압력 : 수 mTorr ~ 수백 mTorr
- 기판의 교환 작업 진행. - 최대 진공도 : 5E-2 Torr - 로드락 챔버의 재질 : SUS304
- 고진공펌프 (Turbo Molecular Pump, 1,000liter/sec)와 로터리펌프(1,000liter/min) - 로드락 챔버 : 로타리 펌프(400liter/min) 장착
- 주요 공정 가스 : 기본적으로 Ar(300sccm), H2(300sccm), CH4(5sccm)를 사용
- PLC를 기반으로 한 PC 제어 시스템 : 모든 공정 변수가 PC상에서 모니터링 됨
- 최종 진공도 : 8E-7 Torr 이하 - 공정압력 : 수mTorr ~ 수백 mTorr |
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